دراسة العلاقة بين معامل النفاذية وابعاد ثنائي الرنين النفقي

المؤلفون

  • أ.ربيعة عبد الله أرجيعة جامعة بنغازي
  • أ.مبسوطة منصور القطراني جامعة بنغازي
  • أ.د.إبراهيم حممو جامعة بنغازي

DOI:

https://doi.org/10.37376/ajhas.vi1.4824

الكلمات المفتاحية:

معامل النفاذية، ابعاد ثنائي، الرنين النفقي

الملخص

يهدف هذا البحث لدراسة تأثر العوامل الهندسية لمنظومة من حاجزي جهد على النفاذية الكمية تمثل ثنائي الرنين النفقي RTD. استخدمت طريقة منظومة مصفوفات التحويلTransfer Matrix Method  للنمذجة وحساب معامل النفاذية. المنظومة التي تم دراستها مكونة السلسلة AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs. تبين أن عرض بئر الجهد وارتفاع حواجز الجهد هما العاملان الاكثر تأثيراً بينما يؤثر عرض الحاجز بأثر أقل.

التنزيلات

بيانات التنزيل غير متوفرة بعد.

السير الشخصية للمؤلفين

أ.ربيعة عبد الله أرجيعة، جامعة بنغازي

محاضر مساعد بقسم الفيزياء- كلية الآداب والعلوم الأبيار- جامعة بنغازي

أ.مبسوطة منصور القطراني، جامعة بنغازي

محاضر مساعد بقسم الفيزياء - كلية الآداب والعلوم الأبيار- جامعة بنغازي

أ.د.إبراهيم حممو، جامعة بنغازي

أستاذ بقسم الفيزياء- كلية العلوم -جامعة بنغازي

المراجع

A.S. Abdalla, M.H. Eisa, R. Alhathlool, O. Aldaghri (2018), Quantum resonant tunneling in semiconductor double-barrier Structure, Optik, 170, 314, .https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2018.05.095

Asada, M, & Suzuki, S. (2011) Terahertz oscillators using electron devices. - an approach with. Resonant tunneling diodes, EICE Electr. Exp., 8, 1110–1126, https://doi.org/10.1587/elex.8.1110

Bate, R, T. (1988) The Quantum-Effect Device: Tomorrow’s Transistor?, Sci. Am. 258, 96–100, 10.1038/scientificamerican0388-96

Bayram, C., Vashaei, Z., & Razeghi, M. (2010) “AlN/GaN double-barrier resonant tunneling diodes grown by metal-organic chemical vapor deposition” App. Phys. Lett. 96, ,042103, 6.https://doi.org/10.1063/1.3294633

Chowdhury, S. and Biswas, D. “Performances Comparison of Si, GaAs and GaN based Resonant Tunneling Diode in Presence and Absence of Electric Field” Int. J. Nano Dev. Sens. & Systems 1, (2012), 39-45, 10.11591/ij-nano.v1i2.1324

Das, B., & Parai, M. K. (2017). “Influence on Characteristics of RTD Due to Variation of Different Parameters and Material Properties” Int. J. High Speed Electron. Syst., 26, 1740022, 7..https://doi.org/10.1142/S0129156417400225.

Do, V, N, & Dollfus, P. (2006) Transport and noise in resonant tunneling diode using self-consistent Green’s function calculation, J. Appl. Phys 100, 093705, https://doi.org/10.1063/1.2364035

Esaki, L. (1958), New Phenomenon in Narrow Germanium p-n Junctions, Phys. Rev. 109, 603-604, https://doi.org/10.1103/PhysRev.109.603

Ferry, D (2018) “An Introduction to Quantum Transport in Semiconductors”, Pan Stanford Publishing, Singapore

Gil-Corrales, John A. etal “Study of Electronic and Transport Properties in Double-Barrier Resonant Tunneling Systems” Nanomaterials 12, (2022), 1714, https://doi.org/10.3390/nano12101714

Jonsson, B, & Eng, S. T (1990), Solving the Schrodinger Equation in Arbitrary Quantum-Well Potential Profiles Using the Transfer Matrix Method, IEEE J. Quant. Electr, 26,2025-2035, 10.1109/3.62122.

Lake, R. & Datta, S (1992), Nonequilibrium Green’s-function method applied to double-barrier resonant-tunneling diodes, Phys. Rev. B45, 6670-6685, https://doi.org/10.1103/PhysRevB.45.6670

Levi, A. F. J (2006). Applied Quantum Mechanics. 2nd Edition, Cambridge University Press, London.

Miller, David A. “Quantum mechanics for scientists and engineers,” Cambridge university press, London, (2008)

Mizuta, H, & Tanoue, T (2006). The Physics and Application of Resonant Tunneling Diodes. Cambridge University, London

R. Montecillo; R. E. S. Otadoy; M. L. A. D. Lee; F. A. Buot; M. D. Nacar (2017), The dependence of the characteristics of THz current oscillations on the quantum-well width in resonant tunneling diode, AIP Conf. Proc. 1871, 030002, https://doi.org/10.1063/1.4996521

Razavy, Mohsen “Quantum Theory of Tunneling” 2nd Edition, World Scientific Pub Co Inc; Singapore, (2013)

Razeghi, M. “Fundamentals of solid-state engineering”, 4th Edition, Springer Int. Publishing, (2019)

S Samanta, (2023), “GaAs-based resonant tunneling diode: Device aspects from design, manufacturing, characterization, and applications”, J. Semicond., 44, 03101, 10.1088/1674-4926/44/10/103101

Luis L. Sánchez-Soto, Juan J. Monzón, Alberto G. Barriuso, José F. Cariñena (2012) , The transfer matrix: A geometrical perspective, Phys. Rep. 513, 191-227, https://doi.org/10.1016/j.physrep.2011.10.002>

Simion, C. E, Ciucu, C (2007), Triple – Barrier Resonant Tunneling: A Transfer Matrix Approach, Rom. Rep. Phys. 59805–817

Singh, M. M, Siddiqui, M.J. and Saxena, A. (2016) “Comparative Simulation of GaAs and GaN based Double Barriers-Resonant tunneling Diode” Proc. Comp. Sci. 85, 581 https://doi.org/10.1016/j.procs.2016.05.224

Sun, J. P., Haddad, G.I., Mazumder, P., Schulman, J.N. (1998) Resonant tunnelling diodes: models and properties, Proc. IEEE, 86, 641 – 660, 10.1109/5.663541.

C. Wang, S. Bhardwaj and J. L. Volakis (2017) "Resonant tunneling diodes for feeding antenna-structures for terahertz source applications," IEEE Int. Symp. Ant. and Prop. & USNC/URSI Nat. Radio Sci. Meet., San Diego, CA, USA, 2017, pp. 1745-1746, 10.1109/APUSNCURSINRSM.2017.8072915

التنزيلات

منشور

2024-04-18

كيفية الاقتباس

عبد الله أرجيعة أ. ., منصور القطراني أ. ., & حممو أ. . (2024). دراسة العلاقة بين معامل النفاذية وابعاد ثنائي الرنين النفقي. مجلة آفاق للدراسات الإنسانية والتطبيقية, (1), 42–50. https://doi.org/10.37376/ajhas.vi1.4824

إصدار

القسم

المقالات

الفئات