الرقيقة ذات التركيز العالي من التيلوريوم والزنك (Si-Ge)تأثير التلدين على أغشية
DOI:
https://doi.org/10.37376/ajhas.vi2.6862الكلمات المفتاحية:
الأغشية الرقيقة، التلدين، درجة الحرارة، التبلور، الفجوة الضوئية، التوصيل الكهربائيالملخص
يتم تمييز العناصر من خلال فجوة نطاق الطاقة الأساسية. تم التلدين بتكوينين Si10Ge10Te80 وSi10Ge10Zn80 متعدد الطبقات تحت فراغ عند درجة حرارة سهلة الانصهار تبلغ 400 درجة مئوية لتشكيل سبائك بين الطبقات المودعة. تمت دراسة العينتين عند درجات حرارة مختلفة لتحسين الخواص الفيزيائية للأغشية الرقيقة. تمت دراسة حركية التكوينين Si10Ge10Te80 و Si10Ge10Zn80 في المدى الحراري 308-673 درجة مئوية. أظهرت النتائج أن تبلور الطبقات الرقيقة للعينات يزداد مع زيادة درجة حرارة التلدين وزيادة محتوى الزنك. تمت دراسة تأثير التلدين على بنية وثبات العينات باستخدام حيود الأشعة السينية. تم إجراء القياسات الضوئية والكهربائية بعد التلدين. تم قياس التوصيل الكهربائي للعينتين كدالة لدرجة الحرارة وزمن التلدين. وجد أن الموصلية الكهربائية لـ Si10Ge10Zn80 تزداد، وتقل الفجوة الضوئية بسبب تأثيرات التبلور التي تحدث فقط في مصفوفة Ge ومع زيادة محتوى الزنك عند التركيز العالي.
التنزيلات
المراجع
.C.N.R.Rao.and.K.J..Rao,.phase.transformation.in.solids,.91(1978)..
.D.Rurnbull,.solid.state.physics.e.seitz.and.turnobull.,.Accademic.press.New.York,.3(1959).
.M..Avrami,Chem..Phys.7,1103(1939).
.M.K..El-Mously.and.M.M.El-Zaidia,.J..Non-cryst-solids.27,265(1978).
.M.M.El-Zaidia.and.A.M.Nassar,.physics.and.chemistry.of.glasses.22,147(1981).
.M.M.El-Zaidia,.Ind,.J..Tech.,18,299.(1980).
.Deepika,K..S..Rathore,N..S..Saxena,New.Journal.of.Glass.and.Ceramics,.2,1(2012)..
.C.N.R..Rao.and.K.J..Rao,.phase.transformation.in.solids.93(1978)..
.J.N..Hay,.Brit..Polym..J,.374(1971).
.M..S..Abo.Ghazala,.E..Aboelhasn,.A..H..Amar,.and.W..Gamel,.Phys.Status.Solidi.C.8,.No..11–12,.3095–3098.(2011).
.B..Tillack,.P..Zaumseil,G..Morgenstern,.D..Kruger,.B..Dietrich,.G..Ritter,Journal.of.Crystal.Growth,.Vol..157,.pp..181-184.(1995).
.Z..Remes,.Ph.D.Thesis,.Faculty.of.Mathematics.and.Physics.of.the.Charles.University.Institute.of.Physics.of.the.Academy.of.Sciences.of.the.Czech.Republic,.Prague.(1999).
.B..Thangaraju,.and.B..Kaliannan,.J.Cryst..Res.Technol..35,.71(2000)
.O..Stenzel,The.Physics.of.Thin.Film.Optical.Spectra,.(Springer-Verlag,.Berlin,.Heidelberg.,.Germany).Press.(2005).
.J..M..Zahler,..A..Fontcuberta.Morral,.M..J..Griggs,.H..A..Atwaterand.Y..J..Chabal,.Phys..Rev..B.75,.35309.(2007).
.K..W..Jobson.and.J.P.R..Wells,R.E..I..Schropp,N.Q..Vinh,J.I..Dijkhuis,.J.Appl..Phys..103,.13106.(2008).
.Mursai,.S..Amiruddin,.I..Usma.T.Winata,.Sukirno,.and.M..Barmawi,Asian.J..Energy.Environ,.Vol.5,.Issue3,.pp..211-222.(2004).
].Masheal.Ali.Alghamdi,.Master.of.Science.,.Department.of.Physics,.The.University.of.King.Saud.University.(2008).
.J..Tauc,.in.Amorphous.and.Liquid.Semiconductors,.ed.(J..Tauc,.Plenum).159.(1974).
.Z..Li,.Ph.D.Thesis,.Iowa.State.Universty,.Ames,.Iowa.(2013).
.C..Wang,.D..Wuu,.S..Lien,.Y..Lin,.C..Liu,.C..Hsu,.and.C..Chen,.International.Journal.of.Photoenergy,.Vol2012,.p..6.(2012).
.M..S..Abo.Ghazala,.P.hys..Status.Solidi.C.8,.3099–3102.(2011).
.C..Miha.,F..Sava,I..D..Simand.alca,.I..Burducea,.N..Becherescu.&.A.Velea,.Scientifc.Reports,.11:.11755..(2021).
.A..A..Langford,.M..L..Fleet,.B..P..Nelson,.W..A..Lanford.and.N..Maley,.Phys..Rev..B.45,.13367.(1992).
.J..A..Augis,.J..E..Bennett,.J..Thermal.Anal..13,.283.(1978).
.M..M..EL-Zaidia,.A..Shafi,.A.A.Ammar,.M..Abo.Ghazala,.J..Mat..Sci..22,.1618.(1987)
.Pradeep,.N.S..SaxenaA..Kumar..Physica.Scripta.54,.207.(1996)
التنزيلات
منشور
كيفية الاقتباس
الرخصة
الحقوق الفكرية (c) 2024 مجلة آفاق للدراسات الإنسانية والتطبيقية
هذا العمل مرخص بموجب Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
